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中科院上海微系统与信息技术研究所和同济大学一项共同研究成果入选“2019中国光学十大进展”(应用研究类)

320日,中国激光杂志社发布“2019年度中国光学十大进展(第十五届),共有20项成果获此殊荣(基础研究类与应用研究类各10项)。其中,中科院上海微系统与信息技术研究所欧欣课题组和同济大学物理学院黄秋实副教授、王占山教授团队合作的晶圆级亚50nm周期光栅器件制备入选应用研究类十大进展。

随着同步辐射和自由电子激光等大型X射线科学装置的发展,高分辨率X射线谱学技术对超高线密度光栅的要求越来越高,传统加工方法难以满足小周期大面积光栅元件的制备要求。20196月,同济大学黄秋实和上海微系统与信息技术研究所贾棋博士作为共同第一作者,在《Nature Communications》发表题为“Realization of wafer-scale nanogratings with sub-50 nm period through vacancy epitaxy”的文章,提出并发展了一种新型X射线超高线密度纳米光栅的制备方法,在2英寸晶圆上实现了>20000线/毫米的多层膜光栅的制作,破解了超高线密度光栅效率低的难题,使其可工作在X射线波段。实验制备的光栅元件在X射线波段的最大角色散比现有成熟技术制备的最高线密度光栅(5000线/毫米)高6倍,有望显著提升同步辐射和自由电子激光的X射线光谱探测精度。

图1 多层膜纳米光栅制备流程示意图(a-c),制备Mo/Si (d, e)和Cr/C (f, g)多层膜光栅的截面TEM图。

 

“2019中国十大光学进展入选名单:

http://www.opticsjournal.net/Columns/ZGGX?type=view&postid=PT200317000034GcIfL

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